Le traitement thermique par induction a commencé à être utilisé en Chine dans les années 1950 lorsque le processus s'appelait «trempe à haute fréquence». Ce nouveau processus de traitement thermique UTILISE le chauffage par induction électromagnétique de la bobine pour atteindre rapidement la température de trempe de la pièce, puis un refroidissement rapide de sorte que seulement la couche superficielle pour obtenir la structure de trempe. Il présente les caractéristiques d'une vitesse de chauffage élevée, de bonnes conditions de travail, d'une résistance de surface élevée et d'une faible déformation, et est rapidement accepté et développé par les travailleurs du traitement thermique.
1. Alimentation à fréquence intermédiaire du thyristor (SCR)
L'alimentation électrique de chauffage par induction précoce est mécanique si le générateur, à faible rendement électrique, 70 % ~ 75 %, a été éliminé de la plage de chauffage par induction, remplacé par un thyristor si l'alimentation électrique, également appelée SCR d'alimentation électrique. La fréquence d'alimentation du thyristor est de 2.5 ~ 8 kHz, la plage d'application est considérablement élargie. Au début des années 1990, il était pleinement mature et certains de ses indicateurs techniques avaient atteint le niveau avancé international. Comparé à la fréquence intermédiaire mécanique, il présente les avantages d'un petit volume et d'un poids léger. Aucun mouvement mécanique, faible bruit; Peut démarrer et s'arrêter instantanément; La fréquence est automatiquement suivie pendant le fonctionnement de la pièce. Les inconvénients sont une faible capacité de surcharge, un taux d'échec élevé et un prix élevé.
2. Alimentation haute fréquence du tube à vide
L'alimentation haute fréquence du tube à vide est simple à régler et facile à utiliser. Bien que la fréquence soit élevée, sa plage d'application est large. L'inconvénient est un faible rendement électrique, environ 50 % ; La tension de fonctionnement est trop élevée et la sécurité est mauvaise.
3. Alimentations transistor UHF et HF
Après les années 1990, l'alimentation haute fréquence à transistor (alimentation haute fréquence SIT, alimentation haute fréquence MOSFET, alimentation super audio IGBT, etc.) a commencé à se développer.
Le transistor à induction statique SIT (transistor à induction statique) est en fait une alimentation à transistor à induction électrostatique fET.SIT à jonction, définit de grandes caractéristiques de courant, haute tension et haute fréquence en un, mais parce que l'alimentation SIT en raison d'une petite puissance à tube unique et d'autres lacunes sont difficiles à surmonter, les entreprises étrangères ont arrêté la recherche et le développement et la production, la production nationale a été des dizaines, mais en raison du manque de pièces de rechange, a été abandonnée.
Le MOSFET (circuit à transistor à effet de champ) est un dispositif à porteuse majoritaire hf de type tension. L'alimentation domestique transistor MOSFET hf F = 50 ~ 200 kHz peut être produite avec une puissance allant jusqu'à 200 kW.
Le transistor polaire IGBT/porte isolante est une combinaison de MOSFET et de GTR qui fournit à la fois une impédance d'entrée élevée du MOSFET et une faible chute de tension de conduction dans le GTR. Le GTR a une tension de saturation inférieure et une densité de courant de transport plus élevée, mais un courant d'entraînement plus élevé. La puissance d'entraînement du MOSFET est petit, la vitesse de commutation est rapide, mais la chute de tension de conduction est importante, la densité de courant porteur est faible.IGBT combine les avantages des deux appareils ci-dessus, avec une faible puissance d'entraînement et une faible tension de saturation.IGBT super puissance audio en Chine en 90 ans de le succès du développement, à l'heure actuelle la puissance IGBT domestique, a été très mature, la fréquence peut atteindre plusieurs centaines de kilohertz.